雪崩击穿和齐纳击穿可恢复吗(雪崩击穿和齐纳击穿)

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1、一、性质不同雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。

2、由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。

3、这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

4、2、齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

5、二、特点不同雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。

6、这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。

7、2、齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。

8、显然，空间电荷区域越宽，它的倍数就越大。

9、因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。

10、它要求结厚。

11、而隧道效应要求结薄。

12、扩展资料：齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中，因为此时的空间电荷层很薄，一个非常小的反向电压可以在空间电荷区产生一个强电场（通常高达10⁸v/cm）。

13、当温度升高时，电子的热运动增加，价电子可以通过较小的反向电压从共价键中拉出。

14、因此，当温度升高时，击穿电压降低，即齐纳击穿具有负的温度系数。

15、参考资料来源：百度百科-雪崩击穿参考资料来源：百度百科-齐纳击穿。

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