MOS场效应管的基本结构和工作原理(mos场效应管工作原理)

您好,蔡蔡就为大家解答关于MOS场效应管的基本结构和工作原理，mos场效应管工作原理相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、1.什么叫场效应管？ FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。

2、一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

3、FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。

4、然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。

5、2. 场效应管的工作原理： (a) JFET的概念图 (b) JFET的符号 图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。

6、 图1（a）表示n沟道JFET的特性例。

7、以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。

8、 首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。

9、在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。

10、VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。

11、此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。

12、与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。

13、 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。

14、将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。

15、n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。

16、 关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。

17、 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID"。

18、更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

19、 在VGS =0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID 流动。

20、达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

21、将这种状态称为夹断。

22、这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

23、 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

24、但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

25、 如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生ID 的饱和现象。

26、 其次，如图10.4.2(c)所示，VGS 向负的方向变化，让VGS =VGS (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。

27、而且VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

28、3.场效应管的分类和结构: 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

29、结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

30、目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

31、 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

32、若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。

33、结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

34、 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

35、而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

36、见下图。

37、 4、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。

38、第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

39、第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

40、例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

41、 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

42、例如CS14A、CS45G等。

43、5、场效应管的参数 场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： IDSS — 饱和漏源电流。

44、是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。

45、 UP — 夹断电压。

46、是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

47、 UT — 开启电压。

48、是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

49、 gM — 跨导。

50、是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

51、gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

52、 BUDS — 漏源击穿电压。

53、是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

54、这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

55、 PDSM — 最大耗散功率。

56、也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

57、使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

58、 IDSM — 最大漏源电流。

59、是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

60、场效应管的工作电流不应超过IDSM6、场效应管的作用 场效应管可应用于放大。

61、由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

62、 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

63、常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

64、 场效应管可以用作可变电阻。

65、 场效应管可以方便地用作恒流源。

66、 场效应管可以用作电子开关。

67、7、常用场效用管MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

68、其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。

69、它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。

70、通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

71、根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

72、所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

73、耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

74、 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。

75、源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。

76、图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。

77、当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。

78、随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

79、 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。

80、它们的管脚排列（底视图）见图2。

81、 MOS场效应管比较“娇气”。

82、这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

83、因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。

84、管子不用时，全部引线也应短接。

85、在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

86、MOS场效应管的检测方法 （1）．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。

87、最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。

88、再把管脚分开，然后拆掉导线。

89、 （2）．判定电极 将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。

90、若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。

91、交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。

92、日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

93、 （3）．检查放大能力（跨导） 将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。

94、双栅MOS场效应管有两个栅极GG2。

95、为区分之，可用手分别触摸GG2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

96、 目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

97、MOS场效应晶体管使用注意事项。

98、 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。

99、MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。

100、也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

101、 焊接用的电烙铁必须良好接地。

102、 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。

103、 MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。

104、拆机时顺序相反。

105、 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

106、 MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。

107、在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

108、2、VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。

109、它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

110、它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

111、正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

112、 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。

113、VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。

114、由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

115、电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。

116、由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

117、 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40VN672、VMPT2等。

118、VMOS场效应管的检测方法 （1）．判定栅极G 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。

119、若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

120、 （2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

121、用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

122、 （3）．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

123、 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

124、例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

125、 （4）．检查跨导 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

126、 注意事项： VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。

127、对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

128、 有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的2项不再适用。

129、 目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。

130、例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

131、 现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。

132、适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

133、 使用VMOS管时必须加合适的散热器后。

134、以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W8、场效应管与晶体管的比较 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

135、在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

136、 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。

137、被称之为双极型器件。

138、 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

139、 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

本文就讲到这里，希望大家会喜欢。